【“芯”动的信号】英伟达定调,存储芯片“超级周期”或刚起步

  当全球投资者为英伟达财报狂欢 ,一个清晰的产业信号浮出水面:AI基础设施的瓶颈已全面向存储端转移。

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  英伟达管理层明确指出,内存涨价已经超出此前的预期 ,供应瓶颈至少会持续到2028财年年底 。

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  TrendForce的一份预测数据更为直观:到2027年,DRAM与NAND Flash占全球云服务商总资本开支的比例 ,将从2026年的47%,进一步攀升至68%。

  也就是说,云厂商每投出1亿元AI基建预算 ,就有近7成流向存储链。当内存短缺已成为制约云服务巨头毛利率的关键因素 ,存储芯片正式从算力的“配套设施 ”向“AI战略硬通货”转变 。

  作为本轮芯片超级行情的起点,下半年以来全球存储板块剧烈波动,多空博弈明显。如今看来 ,这轮超级周期或远未结束。

  “需求快变、供给慢变”的天然错配

  据SEMI《WorldFabForecast》及三星 、SK海力士、美光历年公开项目建设时间表,一座新建12英寸存储晶圆厂从土建动工到实现稳定量产通常需要24-36个月;即便在既有厂区内进行产线改造或制程转换,从设备搬入到良率爬坡完成也需12-18个月 。产能投放以“年 ”计。

  而需求变化是以“季度”计(企业合约) ,两者之间存在天然时差。走完“费用 信号→渠道库存→原厂产能决策→有效产能变化”的全链条,通常时滞长达两年以上 。

  对于存储厂商而言,当需求远超供给 ,这意味着一个非常关键的东西:定价权 。显然本轮AI算力基础设施建设驱动的需求量级,远超行业传统认知边界。2025年下半年以来,存储合同费用 出现惊人的上涨。

  TrendForce数据显示:

  • 服务器DRAM:2025年下半年合同费用 累计上涨64% ,2026年预计再涨约270%;

  • 企业级SSD(NAND Flash):2025年下半年费用 上涨约35%,2026年预计累计上涨235%;

  • HBM:2027年合同费用 仍可能上涨70%至140% 。

  从强周期商品到高壁垒成长股的蜕变

  过去几十年,存储作为周期性板块 ,一直遵循着典型的商品供需逻辑。在传统周期中 ,下游需求的脉冲式增长往往引发产能的盲目扩张,随后在需求回落时导致供过于求,费用 暴跌 ,行业进入漫长的去库存和产能出清阶段。这一传统的历史规律正在被打破 。

  首先,AI 大模型的训练、推理 、多模态数据处理都伴随参数与数据在计算单元与存储单元之间的高频搬运,存储越来越成为影响计算性能的核心组件。更重要的是 ,AI需求正从大模型训练端向推理端延伸,存储需求从“一次性投入 ”转向“长期持续性的算力基础设施投入 ”。这使本轮存储超级周期与以往的阶段性景气周期有着本质差异 。

  其次,供给端产能集中向高端HBM倾斜 ,导致常规DRAM产能受到挤压;叠加设备、材料等核心配套资源的供不应求,技术迭代对有效供给的边际调节等,供给端的多重约束导致紧缺格局短期难以缓解。

  此外 ,商业模式也在发生迭代,长协锁定带来极高的业绩确定性,三星、SK海力士和美光已完成2027年全年产能分配 ,美光手握16份长期战略合作订单 ,其中14份保底收入超千亿元。

  由此,基于长期结构性紧缺与技术的不可替代性,与其谈内存涨价能持续多久 ,不如正视存储已转型成为高壁垒的成长板块 。

  国产存储机会如何?

  全球存储产业格局重塑的过程,恰逢中国存储从技术突破走向规模化量产的历史性窗口。按2025年第四季度DRAM销售额统计,长鑫存储的全球市场份额已增至7.67% ,位列全球第四。Counterpoint Research的NAND存储市场追踪报告显示,2026年一季度,长江存储的全球市场份额跃升至13% 。通用存储市场 ,国内厂商已进入全球前列,但在 HBM高端赛道上,国内仍存明显代差 ,需要时间追赶 。

  海外大厂的产能向HBM倾斜的趋势短期内不会逆转,长鑫科技的DDR〖肆〗 、 DDR〖伍〗、 LPDDR5X产品已实现全系列量产,LPDDR6已完成核心客户送样 ,规划2026年下半年量产导入 ,正好承接了海外大厂让出的中端通用DRAM市场。

  与此同时,AI算力配套存储产品已纳入信创采购目录,政企服务器存储的国产化替代空间高达千亿级。在国家大基金三期及各项产业政策的护航下 ,以长鑫科技、长江存储为核心的本土存储产业链正加速突围 。长鑫科技已拿下字节跳动 、腾讯 、阿里云等百亿级长期订单;长江存储企业级SSD正在加速切入国内智算中心供应链。

  三条主线

  存储超级周期的溢出效应正沿着整个产业链全面扩散,综合券商观点,有三大核心主线。

  ① 具备高端存储接口设计能力、或成功切入头部云厂商供应链的存储原厂和模组厂商;

  ② 直接受益于订单放量的高端存储专用设备企业;

  ③ 先进封测与特种材料厂商 。

  瑞银表示 ,中国存储厂商在DRAM技术节点上有差距,但世界 市场份额将会明显持续提高,数据中心领域国产替代非常明显。国内半导体设备特别是前道及后道检测设备将优先受益于存储产能扩张。另外 ,成熟制程供需格局良好,产能利用率高,费用 处于上升周期 ,也将支撑国产晶圆厂净利润率明显回升 。*

  相关ETF:

  科创芯片ETF华宝(589190)被动跟踪上证科创板芯片指数,全链布局芯片产业,存储、半导体材料与设备含量分别为49.95% ,30.57%(截至2026.8.26) ,能够有效映射 AI 算力基础设施持续升级所带来的产业发展趋势。硬科技含量高,进攻性强,20CM高弹性。场外投资者可以关注联接基金021225 。

  数据来源:沪深交易所等。

  注:存储芯片含量是的对标指数为存储芯片指数(980138.CNI) ,截至8月26日,权重占比为49.95%。

  机构观点来源:瑞银证券20260827《国产存储厂商出货量全球占比将持续提高》 。

  ETF费用相关说明:投资者在申购或赎回基金份额时,申购赎回代理机构可按照不超过0.5%的标准收取佣金 ,其中包含证券交易所 、登记机构等收取的相关费用 。联接基金费用相关说明:华宝上证科创板芯片ETF联接A申购费率(前收费)为申购金额200万元(含)以上时1000元/笔,100万元(含)~200万元时0.2%,100万元以下时0.5%;赎回费率为持有天数7日以下时1.5% ,持有天数7日(含)以上时0%。华宝上证科创板芯片ETF联接C不收取申购费,赎回费率为持有天数7日以下时1.5%,持有天数7日(含)以上时0%;销售服务费为0.2%。

  风险提示:科创芯片ETF华宝(589190)及其联接基金被动跟踪上证科创板芯片指数 ,该指数基日为2019.12.31,发布日期为2022.6.13 。上证科创板芯片指数近5个完整年度涨跌幅为2021年 6.87%,2022年 -33.69% ,2023年 7.26% ,2024年 34.52%,2025年 61.33%。上证科创板芯片指数近5个完整年度波动率为2021年 34.32%,2022年 36.60% ,2023年 28.64%,2024年 44.67%,2025年 34.34% 。指数成份股构成根据该指数编制规则适时调整 ,其回测历史业绩不预示指数未来表现 。本产品由华宝基金发行与管理,代销机构不承担产品的投资、兑付和风险管理责任。投资人应当认真阅读《基金合同》、《招募说明书》 、《基金产品资料概要》等基金法律文件,了解基金的风险收益特征 ,选取 与自身风险承受能力相适应的产品。基金管理人评估的该基金风险评级为R4-中高风险,适合适当性评级C4及以上投资者 。基金管理人管理的其他基金业绩不构成基金业绩表现保证。基金过往业绩不预示其未来表现,基金有风险 ,投资须谨慎!销售机构(包括基金管理人直销机构和其他销售机构)根据相关法律法规对本基金进行风险评价,投资者应及时关注基金管理人出具的适当性意见,各销售机构关于适当性的意见不必然一致 ,且基金销售机构所出具的基金产品风险等级评价结果不得低于基金管理人作出的风险等级评价结果。基金合同中关于基金风险收益特征与基金风险等级因考虑因素不同而存在差异 。投资者应了解基金的风险收益情况 ,结合自身投资目的、期限、投资经验及风险承受能力谨慎选取 基金产品并自行承担风险。中国证监会对本基金的注册,并不表明其对本基金的投资价值 、市场前景和收益做出实质性判断或保证。基金有风险,投资须谨慎 。

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